제조업체 제품 번호:
IPI032N06N3 G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPI032N06N3 G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
재고:
12803633
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제출
IPI032N06N3 G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 118µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
188W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO262-3
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
기본 제품 번호
IPI032N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN2R0-60ES,127
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
7334
부품 번호
PSMN2R0-60ES,127-DG
단가
1.30
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRFSL3206PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1600
부품 번호
IRFSL3206PBF-DG
단가
1.22
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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